TPCP8602 - описание и поиск аналогов

 

TPCP8602 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TPCP8602
   Маркировка: 8602
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: PS8

 Аналоги (замена) для TPCP8602

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPCP8602 - технические параметры

 ..1. Size:201K  toshiba
tpcp8602.pdfpdf_icon

TPCP8602

TPCP8602 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPCP8602 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 0.33 0.05 0.05 M A 8 5 Strobe Flash Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.3 A) Low collector-emitter saturation VCE (sat) = -0.2 V (max) 0.475 1 4 High-speed switching tf = 90 ns (typ.) B 0.05 M B

 7.1. Size:209K  toshiba
tpcp8603.pdfpdf_icon

TPCP8602

TPCP8603 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPCP8603 High-Speed Switching Applications Unit mm DC/DC Converters 0.33 0.05 0.05 M A 8 5 Strobe Applications High DC current gain hFE = 120 300 (IC = -0.1 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = -0.2 V (max) 0.475 1 4 B 0.05 M B 0.65 High-speed switching tf = 120 ns (typ.) 2.9

 7.2. Size:172K  toshiba
tpcp8604.pdfpdf_icon

TPCP8602

TPCP8604 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type TPCP8604 High-Voltage Switching Applications Unit mm 0.33 0.05 High breakdown voltage VCEO = -400 V 0.05 M A 8 5 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit 0.475 1 4 B Collector-base voltage VCBO -400 V 0.05 M B 0.65 Collector-emitter voltage VCEO -400 V 2.9 0.1 A Emitte

 7.3. Size:200K  toshiba
tpcp8601.pdfpdf_icon

TPCP8602

TPCP8601 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) TPCP8601 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 0.33 0.05 0.05 M A 8 5 Strobo Flash Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.6 A) Low collector-emitter saturation VCE (sat) = -0.19 V (max) 0.475 1 4 B High-speed switching tf = 35 ns (typ.

Другие транзисторы... TPC6D03 , TPCP8501 , TPCP8504 , TPCP8505 , TPCP8507 , TPCP8510 , TPCP8511 , TPCP8601 , BC547B , TPCP8603 , TPCP8604 , TPCP8701 , TPCP8901 , TPCP8H01 , TPCP8H02 , TTA0001 , TTA0002 .

 

 
Back to Top

 


 
.