Биполярный транзистор TTA1943 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TTA1943
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 240 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO3PL
TTA1943 Datasheet (PDF)
tta1943.pdf
TTA1943 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TTA1943 Power Amplifier Applications Unit: mm High collector voltage: VCEO = -230 V (min) Complementary to TTC5200 Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -230 VCollector-
tta1943.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor TTA1943DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -230V(Min)(BR)CEOComplement to Type TTC5200Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommended for 100W high fidelity audio frequency amplifieroutput stageABSO
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
