TTC009 - описание и поиск аналогов

 

TTC009. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTC009

Маркировка: C009

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220NIS

 Аналоги (замена) для TTC009

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TTC009 даташит

 ..1. Size:171K  toshiba
ttc009.pdfpdf_icon

TTC009

TTC009 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TTC009 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.5 V (max) IC = 1A High-speed switching tstg = 0.4 s (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 160 V VCE

 9.1. Size:194K  toshiba
ttc007.pdfpdf_icon

TTC009

TTC007 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TTC007 Unit mm High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications High DC current gain hFE = 400 to1000 (IC = 0.1 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) = 0.12 V (max) High-speed switching tf = 85 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit

 9.2. Size:189K  toshiba
ttc005.pdfpdf_icon

TTC009

TTC005 Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type TTC005 TTC005 TTC005 TTC005 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed High-Voltage Switching Switching Voltage Regulators High-Speed DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High DC current gain hFE = 100 to 200 (IC = 0.1 A) (2) High-speed switc

 9.3. Size:179K  toshiba
ttc0001.pdfpdf_icon

TTC009

TTC0001 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type TTC0001 Power Amplifier Applications Unit mm High collector voltage VCEO = 160 V (min) Complementary to TTA0001 Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. Absolute Maximum Ratings (Tc = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 160 V Co

Другие транзисторы: TTA1943, TTC0001, TTC0002, TTC003, TTC004, TTC005, TTC007, TTC008, TIP41C, TTC011, TTC012, TTC013, TTC13003L, TTC5200, 2SC4250FV, 2SC4915, 2SC5064

 

 

 

 

↑ Back to Top
.