TTC009. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TTC009
Маркировка: C009
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO220NIS
Аналоги (замена) для TTC009
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
TTC009 даташит
ttc009.pdf
TTC009 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TTC009 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.5 V (max) IC = 1A High-speed switching tstg = 0.4 s (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 160 V VCE
ttc007.pdf
TTC007 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TTC007 Unit mm High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications High DC current gain hFE = 400 to1000 (IC = 0.1 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) = 0.12 V (max) High-speed switching tf = 85 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit
ttc005.pdf
TTC005 Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type TTC005 TTC005 TTC005 TTC005 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed High-Voltage Switching Switching Voltage Regulators High-Speed DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High DC current gain hFE = 100 to 200 (IC = 0.1 A) (2) High-speed switc
ttc0001.pdf
TTC0001 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type TTC0001 Power Amplifier Applications Unit mm High collector voltage VCEO = 160 V (min) Complementary to TTA0001 Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. Absolute Maximum Ratings (Tc = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 160 V Co
Другие транзисторы: TTA1943, TTC0001, TTC0002, TTC003, TTC004, TTC005, TTC007, TTC008, TIP41C, TTC011, TTC012, TTC013, TTC13003L, TTC5200, 2SC4250FV, 2SC4915, 2SC5064
History: BSR30 | 2SC3143K3 | 2SB1018A | 2SC307 | BD356 | 3DA030G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565








