Справочник транзисторов. 2SC5319

 

Биполярный транзистор 2SC5319 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC5319
   Маркировка: MT
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 16000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: USQ
 

 Аналог (замена) для 2SC5319

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5319 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  toshiba
2sc5319.pdfpdf_icon

2SC5319

2SC5319 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5319 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure: NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain: Ga = 11.5dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmitter-base voltage VEBO 1.5

 8.1. Size:121K  toshiba
2sc5317.pdfpdf_icon

2SC5319

2SC5317 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5317 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm (chip: fT = 16 GHz series) Low noise figure: NF = 1.3dB (f = 2 GHz) High gain: Ga = 9dB (f = 2 GHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 8 VCollector-emitter voltage VCEO 5 VEmi

 8.2. Size:126K  toshiba
2sc5318.pdfpdf_icon

2SC5319

 8.3. Size:125K  toshiba
2sc5316.pdfpdf_icon

2SC5319

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: FMMTA56R | HM28S

 

 
Back to Top

 


 
.