Справочник транзисторов. MT3S16U

 

Биполярный транзистор MT3S16U Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MT3S16U
   Маркировка: T4
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: USM
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT3S16U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  toshiba
 mt3s16u.pdf pdf_icon

MT3S16U

MT3S16U TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S16U Unit: mm UHF Band Oscillator and Amplifier Applications fT is high and current dependability is excellent. The characteristic of Reverse transfer capacitance (Cre) is flat. :NF = 2.4dB(Typ.) (@ 2V, 5mA, 1 GHz) :|S21e|2 = 4.5dB(Typ.) (@ 2V, 10mA, 1 GHz) Marking 3 Type Name T 4 1.Base 2.E

 9.1. Size:171K  toshiba
 mt3s19.pdf pdf_icon

MT3S16U

MT3S19 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S19 VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mmFeatures Low-Noise Figure:NF=1.5 dB (typ.) (@ f=1 GHz) High Gain:|S21e|2=12.5 dB (typ.) (@ f=1 GHz) Marking 3 1. Base2. EmitterT 6 3. Collector1 2 S-Mini JEDEC TO-236 JEITA SC-59TOSHIBA 2-3F1AAbsolute Maximum Ratings (T

 9.2. Size:161K  toshiba
 mt3s111 .pdf pdf_icon

MT3S16U

MT3S111 TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S111 VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mmFeatures Low-Noise Figure: NF=0.9 dB (typ.) (@ f=1 GHz) High Gain:|S21e|2=12 dB (typ.) (@ f=1 GHz) Marking 1. BaseR 5 2. Emitter3. CollectorS-Mini JEDEC TO-236JEITA SC-59Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) T

 9.3. Size:201K  toshiba
 mt3s113.pdf pdf_icon

MT3S16U

MT3S113 TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113 VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mmFEATURES Low Noise Figure:NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) High Gain:|S21e|2=11.8dB(Typ.) (@ f=1GHz) Marking R 7 1. Base2. Emitter3. CollectorS-Mini JEDEC TO-236 JEITA SC-59 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.