2N5821 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2N5821 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N5821
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Аналоги (замена) для 2N5821

2N5821 Datasheet (PDF)

..1. Size:47K central
2n5820 2n5821 2n5822 2n5823.pdf

TM2N5820 2N5822 NPNCentral2N5821 2N5823 PNPSemiconductor Corp.COMPLEMENTARYSILICON TRANSISTORSDESCRIPTION:The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 seriestypes are epoxy molded complementary siliconsmall signal transistors manufactured by theepitaxial planar process designed for generalpurpose amplifier applications where a highcollector current rating is required.MARKING COD

9.1. Size:218K rca
2n582.pdf