2N5821. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N5821
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Аналоги (замена) для 2N5821
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N5821 даташит
2n5820 2n5821 2n5822 2n5823.pdf
TM 2N5820 2N5822 NPN Central 2N5821 2N5823 PNP Semiconductor Corp. COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 series types are epoxy molded complementary silicon small signal transistors manufactured by the epitaxial planar process designed for general purpose amplifier applications where a high collector current rating is required. MARKING COD
Другие транзисторы: 2N5814, 2N5815, 2N5816, 2N5817, 2N5818, 2N5819, 2N582, 2N5820, BD333, 2N5822, 2N5823, 2N5824, 2N5825, 2N5826, 2N5827, 2N5827A, 2N5828
History: 2N1669 | 2N1813 | 2N1853 | 2N1759 | 2N5615 | 2N1722-1 | EN2894A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent