Биполярный транзистор MCH6103 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MCH6103
Маркировка: AC
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 420 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: MCPH6
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MCH6103 Datasheet (PDF)
mch6103 mch6203.pdf

Ordering number : ENN6611AMCH6103 / MCH6203PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsMCH6103 / MCH6203DC / DC Converter ApplicationsApplications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash.Features Adoption of MBIT processes. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Ultrasmall package facilit
mch6103 mch6203.pdf

Ordering number : EN6611BMCH6103/MCH6203Bipolar Transistorhttp://onsemi.com() () ( ) ( )50V, 1A, Low VCE sat , PNP NPN Single MCPH6Applicaitons Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flashFeatures Adoption of MBIT processes Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching Ultrasmall package facilitat
mch6101 mch6201.pdf

Ordering number:ENN6387PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsMCH6101/MCH6201DC/DC Converter ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. unit:mm2170Features [MCH6101/MCH6201] Adoption of MBIT processes.0.3 0.15 Large current capacitance.6 5 4 Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switchin
mch6102 mch6202.pdf

Ordering number : EN6480BMCH6102 / MCH6202PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsMCH6102 / MCH6202DC / DC Converter ApplicationsApplications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash.Features Adoption of MBIT processes. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Ultrasmall package facilita
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BUX98AP | BUX98 | L2SA1774RT1G | KSD794A | 2SB827S | 2N1383Y | 2N1301
History: BUX98AP | BUX98 | L2SA1774RT1G | KSD794A | 2SB827S | 2N1383Y | 2N1301



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor