Биполярный транзистор MCH6122 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MCH6122
Маркировка: AY
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: MCPH6
MCH6122 Datasheet (PDF)
mch6122.pdf
MCH6122Ordering number : ENA1287SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP Epitaxial Planar Silicon TransistorMCH6122DC / DC Converter AmplifierApplications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, charger circuit.Features Adoption of MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High speed switching. Ultrasmall-size
mch6124.pdf
MCH6124Ordering number : ENA1605SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP Epitaxial Planar Silicon TransistorMCH6124Load Switch ApplicationsApplications Load switch, DC-DC converter, motor drivers, charger.Features Adoption of MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High speed switching. Ultrasmall-sized package
mch6123.pdf
MCH6123Ordering number : ENA1291SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP Epitaxial Planar Silicon TransistorMCH6123High-Current Switching ApplicationsApplications DC-DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers.Features Adoption of MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High speed switching. Ultrasm
mch6121.pdf
MCH6121Ordering number : ENA1286SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP Epitaxial Planar Silicon TransistorMCH6121DC / DC Converter AmplifierApplications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, line switch.Features Adoption of MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High speed switching. Ultrasmall-sized pa
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050