ECH8503. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ECH8503
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 280 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 42 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: ECH8
Аналоги (замена) для ECH8503
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ECH8503 даташит
ech8503.pdf
ECH8503 Ordering number ENA1680 SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor ECH8503 Motor Drive Applications Features Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltage VCBO
ech8503.pdf
Ordering number ENA1680A ECH8503 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 50V, 5A, Low VCE sat PNP Dual ECH8 Features Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltage VCBO -50 V Collector-to-Emi
ech8502.pdf
ECH8502 Ordering number ENA1758 SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors ECH8502 Gate Drive Applications Features Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Low collector-to-emitter saturation voltage NPN VCE(sat)=0.08V(typ.)@IC=2.5A PNP VCE(sat)= --0.12V(typ.)@IC= --2.5A Halogen free complianc
ech8501.pdf
ECH8501 Ordering number ENA1581 SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors ECH8501 Gate Drive Applications Features Composite type, facilitating high-density mounting Mounting height 0.9mm Low collector-to-emitter saturation voltage NPN VCE(sat)=0.075V(typ.)@IC=2.5A PNP VCE(sat)= --0.1V(typ.)@IC= --2.5A Halogen free complianc
Другие транзисторы: CPH5541, ECH8502, MCH6536, CPH6538, CPH6539, MCH6534, SCH2202, CPH5505, 2SC5198, 2SD2560, 2SD2561, 2SD2562, 2SD2641, 2SD2642, 2SD2643, 2SA2151, 2SA2151A
History: 2SB1161
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116






