Справочник транзисторов. 2SC5661

 

Биполярный транзистор 2SC5661 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC5661
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SC-105AA VMT3 SOT723
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5661 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  rohm
2sc4725 2sc5661 2sc4725 2sc4082 2sc3837k.pdfpdf_icon

2SC5661

High-Frequency Amplifier Transistor (20V, 50mA, 1.5GHz) 2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K Features Dimensions (Unit : mm) 1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) 2SC56612) Small rbbCc and high gain. (Typ. 6ps) 3) Small NF. (1) BasePackaging specifications and hFE ROHM : VMT3 (2) EmitterType 2SC5661 2SC4725 2SC4082 2SC3837K(3) CollectorPackage

 ..2. Size:1012K  rohm
2sc5661 2sc4725 2sc4082 2sc3837k.pdfpdf_icon

2SC5661

High-Frequency Amplifier Transistor (20V, 50mA, 1.5GHz) 2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K Features Dimensions (Unit : mm) 1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) 2SC56612) Small rbbCc and high gain. (Typ. 6ps) 3) Small NF. (1) BasePackaging specifications and hFE ROHM : VMT3 (2) EmitterType 2SC5661 2SC4725 2SC4082 2SC3837K(3) CollectorPackage

 8.1. Size:36K  sanyo
2sc5665.pdfpdf_icon

2SC5661

Ordering number : ENN73512SC5665NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5665High-Frequency Low-Noise Amplifierand OSC ApplicationsFeatures Package Dimensions Low-noise use : NF=1.5dB typ (f=2GHz). unit : mm High cut-off frequency : fT=6.5GHz typ (VCE=1V). 2106A: fT=11.2GHz typ (VCE=3V).[2SC5665] Low operating voltage.0.750.30.630~0.11 20.10.20.

 8.2. Size:33K  sanyo
2sa2031 2sc5669.pdfpdf_icon

2SC5661

Ordering number : ENN65862SA2031 / 2SC5669PNP Epitaxial Planar Silicon TransistorNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SA2031 / 2SC5669230V / 15A, AF100W Output ApplicationsFeatures Package Dimensions Large current capacitance. unit : mm Wide ASO and high durability against breakdown. 2022A Adoption of MBIT process.[2SA2031 / 2SC5669]15.63.24.814.0

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC2257A | BC337A-16 | TV37

 

 
Back to Top

 


 
.