Биполярный транзистор 2SCR544D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SCR544D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 280 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: CPT3
2SCR544D Datasheet (PDF)
2scr544d.pdf
Midium Power Transistors (80V / 2.5A) 2SCR544D Structure Dimensions (Unit : mm)NPN Silicon epitaxial planar transistorCPT36.55.12.30.5 Features1) Low saturation voltage, typicallyVCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA)0.752) High speed switching0.650.92.32.3(1) (2) (3)0.51.0 ApplicationsDriver Packaging specifications Inner
2scr544p.pdf
Midium Power Transistors (80V / 2.5A) 2SCR544P Structure Dimensions (Unit : mm)NPN Silicon epitaxial planar transistor Features1) Low saturation voltage, typicallyVCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA)(1) (2) (3)2) High speed switching ApplicationsAbbreviated symbol : NSDriver Packaging specifications Inner circuit (Unit : mm)Package Taping
2scr544r.pdf
2SCR544RDatasheetNPN 2.5A 80V Middle Power TransistorlOutlinelParameter Value TSMT3VCEO80VIC2.5ASOT-346TSC-96 lFeaturesl1)Suitable for Middle Power DriverlInner circuitl2)Complementary PNP Types:2SAR544R3)Low VCE(sat)VCE(sat)=300mV(Max.)(IC/IB=1A/50mA)lApplicationlLOW FREQU
2scr544p5.pdf
2SCR544P5DatasheetMidium Power Transistors (80V / 2.5A)lOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO80VIC2.5AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage,typicallyVCE(sat)=300mV(Max.)(IC/ IB=1A/50mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHINGlPackaging specifi
2scr544pfra.pdf
2SCR544P2SCR544PFRAData SheetNPN 2.5A 80V Middle Power TransistorAEC-Q101 QualifiedlOutline MPT3Parameter ValueVCEO80VBaseCollectorIC2.5AEmitter2SCR544PFRA2SCR544PlFeatures(SC-62)1) Suitable for Middle Power Driver2) Complementary PNP Types : 2SAR544P 2SAR544PFRA3) Low VCE(sat)VCE(sat)=0.4V Max. (IC/IB=1A/50mA)4) Lead Free/RoHS Compliant
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050