2SCR544R - описание и поиск аналогов

 

2SCR544R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SCR544R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 280 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TSMT3

 Аналоги (замена) для 2SCR544R

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SCR544R даташит

 ..1. Size:1554K  rohm
2scr544r.pdfpdf_icon

2SCR544R

2SCR544R Datasheet NPN 2.5A 80V Middle Power Transistor lOutline l Parameter Value TSMT3 VCEO 80V IC 2.5A SOT-346T SC-96 lFeatures l 1)Suitable for Middle Power Driver lInner circuit l 2)Complementary PNP Types 2SAR544R 3)Low VCE(sat) VCE(sat)=300mV(Max.) (IC/IB=1A/50mA) lApplication l LOW FREQU

 7.1. Size:238K  rohm
2scr544p.pdfpdf_icon

2SCR544R

Midium Power Transistors (80V / 2.5A) 2SCR544P Structure Dimensions (Unit mm) NPN Silicon epitaxial planar transistor Features 1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA) (1) (2) (3) 2) High speed switching Applications Abbreviated symbol NS Driver Packaging specifications Inner circuit (Unit mm) Package Taping

 7.2. Size:1808K  rohm
2scr544p5.pdfpdf_icon

2SCR544R

2SCR544P5 Datasheet Midium Power Transistors (80V / 2.5A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO 80V IC 2.5A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage,typically VCE(sat)=300mV(Max.) (IC/ IB=1A/50mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPackaging specifi

 7.3. Size:418K  rohm
2scr544d.pdfpdf_icon

2SCR544R

Midium Power Transistors (80V / 2.5A) 2SCR544D Structure Dimensions (Unit mm) NPN Silicon epitaxial planar transistor CPT3 6.5 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA) 0.75 2) High speed switching 0.65 0.9 2.3 2.3 (1) (2) (3) 0.5 1.0 Applications Driver Packaging specifications Inner

Другие транзисторы... 2SCR533D , 2SCR533P , 2SCR542D , 2SCR542P , 2SCR543D , 2SCR543R , 2SCR544D , 2SCR544P , 2N3055 , 2SCR552P , 2SCR553P , 2SCR554P , 2SCR554R , 2SD1383K , 2SD1484K , 2SD1757K , 2SD1781K .

History: 2N3431

 

 

 


 
↑ Back to Top
.