2SCR554P - описание и поиск аналогов

 

2SCR554P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SCR554P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: MPT3

 Аналоги (замена) для 2SCR554P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SCR554P даташит

 ..1. Size:239K  rohm
2scr554p.pdfpdf_icon

2SCR554P

Midium Power Transistors (80V / 1.5A) 2SCR554P Structure Dimensions (Unit mm) NPN Silicon epitaxial planar transistor Features 1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA) (1) (2) (3) 2) High speed switching Applications Abbreviated symbol NH Driver Packaging specifications Inner circuit (Unit mm) (2) Package

 0.1. Size:1546K  rohm
2scr554pfra.pdfpdf_icon

2SCR554P

2SCR554P FRA Datasheet Middle Power Transistor (80V / 1.5A) AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO 80V IC 1.5A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage,typically VCE(sat)=300mV(Max.) (IC/IB=500mA/25mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITC

 0.2. Size:1815K  rohm
2scr554p5.pdfpdf_icon

2SCR554P

2SCR554P5 Datasheet Middle Power Transistors (80V / 1.5A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO 80V IC 1.5A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage,typically VCE(sat)=300mV(Max.) (IC/IB=500mA/25mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPackaging speci

 7.1. Size:435K  rohm
2scr554r.pdfpdf_icon

2SCR554P

Midium Power Transistors (80V / 1.5A) 2SCR554R Features Dimensions (Unit mm) 1) Low saturation voltage, typically TSMT3 VCE (sat) = 0.3V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA) 2) High speed switching (3) (1) (2) Structure (1) Base (2) Emitter NPN Silicon epitaxial planar transistor (3) Collector Abbreviated symbol NH Applications Inner circuit Driver (3) Pa

Другие транзисторы: 2SCR542P, 2SCR543D, 2SCR543R, 2SCR544D, 2SCR544P, 2SCR544R, 2SCR552P, 2SCR553P, C5198, 2SCR554R, 2SD1383K, 2SD1484K, 2SD1757K, 2SD1781K, 2SD1782K, 2SD2114K, 2SD2142K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.