US6T6. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: US6T6
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 360 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270
Корпус транзистора: TUMT6
Аналоги (замена) для US6T6
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
US6T6 даташит
us6t6.pdf
US6T6 Transistors Low frequency amplifier US6T6 Dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Driver Features 1) A collector current is large. 2) VCE(sat)
Другие транзисторы: QSX1, QSX2, QSX3, QSX4, QSX5, QSX6, US6T4, US6T5, D880, US6T7, US6X3, US6X4, US6X5, US6X6, MMSTA28, SST2222A, SST2907A
History: 2N1383GN | 2N485
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent

