DTC114EUB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DTC114EUB
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SC85 UMT3F SOT323FL
Аналоги (замена) для DTC114EUB
DTC114EUB Datasheet (PDF)
dtc114eub.pdf
Transistors DTC114EUB 100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTC114EUB Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver UMT3F 2.0 Features 0.9 0.32 1) Built-in bias resistors enable the configuration of (3) an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin-
pdtc114eu 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC114EU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Product specification Supersedes data of 1998 Nov 26 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design
pdtc114eu 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC114EU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Product specification Supersedes data of 1998 Nov 26 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design
dtc114eefra dtc114ekafra dtc114emfha dtc114euafra.pdf
DTC114E series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k DTC114EM DTC114EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 10k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k 2) Built-in bias resistors enable the configuration of
Другие транзисторы... DTC043ZEB , DTC043ZM , DTC043ZUB , DTC044EEB , DTC044EM , DTC044EUB , DTC114EEB , DTC114EM , TIP41 , DTC114WE , DTC114YEB , DTC114YM , DTC114YUA , DTC114YUB , DTC115EEB , DTC115EM , DTC123EE .
History: DTS3705 | GT403G | 2SC5658RM3
History: DTS3705 | GT403G | 2SC5658RM3
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet











