DTC144EEB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTC144EEB  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC-89 EMT3F SOT416FL

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTC144EEB

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC144EEB даташит

 ..1. Size:59K  rohm
dtc144eeb.pdfpdf_icon

DTC144EEB

Transistors DTC144EEB 100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTC144EEB Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver EMT3F 1.6 0.7 Features 0.26 1) Built-in bias resistors enable the configuration of (3) an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors con

 6.1. Size:54K  motorola
pdtc144eef 1.pdfpdf_icon

DTC144EEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC144EEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification of circuit design 3 handbook, halfpage 3 R1 Reduces number of components

 6.2. Size:56K  motorola
pdtc144ee 2.pdfpdf_icon

DTC144EEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC144EE NPN resistor-equipped transistor 1998 Jul 16 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification of circuit design

 6.3. Size:54K  philips
pdtc144eef 1.pdfpdf_icon

DTC144EEB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC144EEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification of circuit design 3 handbook, halfpage 3 R1 Reduces number of components

Другие транзисторы: DTC143XE, DTC143XEB, DTC143XM, DTC143XUA, DTC143XUB, DTC143ZEB, DTC143ZM, DTC143ZUB, A940, DTC144EM, DTC144EUB, DTC144WE, DTD113ZK, DTD113ZU, DTD123YK, DTD513ZE, DTD513ZM