Справочник транзисторов. 2N586

 

Биполярный транзистор 2N586 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N586
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: TO40

 Аналоги (замена) для 2N586

 

 

2N586 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  rca
2n586.pdf

2N586

 0.1. Size:11K  semelab
2n5864.pdf

2N586

2N5864Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar PNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 70V dia.IC = 1.5A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1

 0.2. Size:11K  semelab
2n5867.pdf

2N586

2N5867Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar PNP Device. 3VCEO = 60V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 5A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in ac

 0.3. Size:118K  inchange semiconductor
2n5867 2n5868.pdf

2N586 2N586

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N5867 2N5868 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage APPLICATIONS For medium-speed switching and amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER

 0.4. Size:118K  inchange semiconductor
2n5869 2n5870.pdf

2N586 2N586

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5869 2N5870 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage APPLICATIONS For medium-speed switching and amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top