2N5867. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N5867
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 87 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для 2N5867
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N5867 даташит
2n5867.pdf
2N5867 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar PNP Device. 3 VCEO = 60V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 5A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in ac
2n5867 2n5868.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N5867 2N5868 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage APPLICATIONS For medium-speed switching and amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER
2n5864.pdf
2N5864 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar PNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 70V dia. IC = 1.5A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1
Другие транзисторы: 2N5858, 2N5859, 2N586, 2N5860, 2N5861, 2N5862, 2N5864, 2N5865, BC558, 2N5868, 2N5869, 2N587, 2N5870, 2N5871, 2N5871-1, 2N5871-2, 2N5872
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40



