Биполярный транзистор 2N5867 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5867
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 87 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
2N5867 Datasheet (PDF)
2n5867.pdf
2N5867Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar PNP Device. 3VCEO = 60V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 5A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in ac
2n5867 2n5868.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N5867 2N5868 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage APPLICATIONS For medium-speed switching and amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER
2n5864.pdf
2N5864Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar PNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 70V dia.IC = 1.5A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1
2n5869 2n5870.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5869 2N5870 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage APPLICATIONS For medium-speed switching and amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER
Другие транзисторы... 2N5858 , 2N5859 , 2N586 , 2N5860 , 2N5861 , 2N5862 , 2N5864 , 2N5865 , BC546 , 2N5868 , 2N5869 , 2N587 , 2N5870 , 2N5871 , 2N5871-1 , 2N5871-2 , 2N5872 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050