KT8290A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT8290A

Маркировка: КТ8290А

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: KT28-2

 Аналоги (замена) для KT8290A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT8290A даташит

 9.1. Size:33K  no
 kt829a.pdf pdf_icon

KT8290A

n-p-n, 829 Ik max,A 8 Uo (U max)[Ur max],B100 U max,B 100 P max(P max), 60 T max,C 150 h21(h21)[S21 ] 750 U(U),B 3 I(I),A 3 U ,B 2 I(IR), 1500 f(fh21), 4 R -(R -),/ 2.08

 9.2. Size:713K  russia
 kt829a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT8290A

 9.3. Size:213K  inchange semiconductor
 kt829a.pdf pdf_icon

KT8290A

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = 3A FE C Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications ABSOLUTE

Другие транзисторы: KT8261A, KT8270A, KT8271A, KT8271B, KT8271V, KT8272A, KT8272B, KT8272V, TIP142, KT8296A, KT8296B, KT8296G, KT8296V, KT8297A, KT8297B, KT8297G, KT8297V