Биполярный транзистор 2N1180 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N1180
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.08 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO45

Другие транзисторы... 2N1175B , 2N1176 , 2N1176A , 2N1176B , 2N1177 , 2N1178 , 2N1179 , 2N118 , S8050 , 2N1182 , 2N1183 , 2N1183A , 2N1183B , 2N1184 , 2N1184A , 2N1184B , 2N1185 .