2N1180. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1180

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.08 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO45

 Аналоги (замена) для 2N1180

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1180 даташит

 ..1. Size:267K  rca
 2n1180.pdf pdf_icon

2N1180

 9.1. Size:374K  rca
 2n1184-a-b.pdf pdf_icon

2N1180

 9.2. Size:735K  rca
 2n1183-a-b.pdf pdf_icon

2N1180

Другие транзисторы: 2N1175B, 2N1176, 2N1176A, 2N1176B, 2N1177, 2N1178, 2N1179, 2N118, BC557, 2N1182, 2N1183, 2N1183A, 2N1183B, 2N1184, 2N1184A, 2N1184B, 2N1185