KT837H1-IM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT837H1-IM

Маркировка: КТ837Х1-ИМ

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: KT-92

 Аналоги (замена) для KT837H1-IM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT837H1-IM даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: KT8304B, KT8304B-5, KT8304B9, KT837A1-IM, KT837B1-IM, KT837E1-IM, KT837F1-IM, KT837G1-IM, 2N3904, KT837I1-IM, KT837K1-IM, KT837L1-IM, KT837M1-IM, KT837N1-IM, KT837P1-IM, KT837R1-IM, KT837S1-IM