Биполярный транзистор KT837H1-IM Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: KT837H1-IM
   Маркировка: КТ837Х1-ИМ
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: KT-92
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам