2SC5129 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5129  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3PHIS

 Аналоги (замена) для 2SC5129

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5129 даташит

 ..1. Size:210K  toshiba
2sc5129.pdfpdf_icon

2SC5129

 ..2. Size:41K  jmnic
2sc5129.pdfpdf_icon

2SC5129

Product Specification www.jmnic.com Silicon Power Transistors 2SC5129 DESCRIPTION With TO-3P(H)IS package High speed High voltage Low saturation voltage APPLICATIONS Horizontal deflection output for high resolution display,colorTV High speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS)

 ..3. Size:180K  inchange semiconductor
2sc5129.pdfpdf_icon

2SC5129

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5129 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Switching Speed Low Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Horizontal deflection output for high resolution display, color TV. High speed switch

 8.1. Size:120K  1
2sc510 2sc512.pdfpdf_icon

2SC5129

Другие транзисторы: 2SC4980, 2SC4981, 2SC4982, 2SC5002, 2SC5003, 2SC5042, 2SC5048, 2SC5124, TIP42, 2SC5143, 2SC5148, 2SC5149, 2SC5150, 2SC5241, 2SC5280, 2SC5296, 2SC5297