2N1183. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1183

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.35 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO8

 Аналоги (замена) для 2N1183

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1183 даташит

 0.1. Size:735K  rca
2n1183-a-b.pdfpdf_icon

2N1183

 9.1. Size:267K  rca
2n1180.pdfpdf_icon

2N1183

 9.2. Size:374K  rca
2n1184-a-b.pdfpdf_icon

2N1183

Другие транзисторы: 2N1176A, 2N1176B, 2N1177, 2N1178, 2N1179, 2N118, 2N1180, 2N1182, 13009, 2N1183A, 2N1183B, 2N1184, 2N1184A, 2N1184B, 2N1185, 2N1186, 2N1187