Биполярный транзистор 2N1183 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1183
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.35 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO8
2N1183 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N1176A , 2N1176B , 2N1177 , 2N1178 , 2N1179 , 2N118 , 2N1180 , 2N1182 , 13003 , 2N1183A , 2N1183B , 2N1184 , 2N1184A , 2N1184B , 2N1185 , 2N1186 , 2N1187 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050