T2141F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: T2141F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 600

Корпус транзистора: TO220FA

 Аналоги (замена) для T2141F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

T2141F даташит

 ..1. Size:217K  inchange semiconductor
 t2141f.pdf pdf_icon

T2141F

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor T2141F DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 300V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 600(Min.)@ I = 3A FE C Low Collector Saturation Voltage V = 1.8V(Max.)@ I = 4A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching for dynamotor excitation

 9.1. Size:103K  renesas
 rej03g1193 hat2141hds.pdf pdf_icon

T2141F

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 9.2. Size:118K  inchange semiconductor
 t2141.pdf pdf_icon

T2141F

NPN T2141 TO-220C 1 2 3 (TC=25 ) VCBO 40

Другие транзисторы: BUH715AF, BUL6825, BUT12AX, BUT56AF, BUW13AW, BUW13W, T06, T2141, 8550, T2142, T2142F, T25, T30, T30F, T430, 2PD601AW, 2SA1235A