Справочник транзисторов. M28S

 

Биполярный транзистор M28S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: M28S
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

M28S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  utc
m28s.pdfpdf_icon

M28S

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD M28S NPN SILICON TRANSISTOR AUDIO OUTPUT DRIVER AMPLIFIER1 FEATURES TO-92* Excellent HFE Linearity * High DC Current Gain 3* High Power Dissipation APPLICATION 1* Audio Output Driver Amplifier 2* General Purpose Switch SOT-23 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Normal Lead Free Halogen Free

 ..2. Size:53K  secos
m28s.pdfpdf_icon

M28S

M28S 1A , 40V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOT-23 Excellent hFE Linearity A High DC Current Gain L33Top ViewC BCLASSIFICATION OF hFE 11 2Product-Rank M28S-B M28S-C M28S-D 2K ERange 300~550 500~700 650~1000 DMarking 28S Collector H

 ..3. Size:112K  jiangsu
m28s.pdfpdf_icon

M28S

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO 92 M28S TRANSISTOR (NPN) 1.EMITTER FEATURES 2.COLLECTOR High DC Current Gain and Large Current Capability 3.BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbo Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Sustaining Voltage 20 V VEBO

 ..4. Size:298K  htsemi
m28s.pdfpdf_icon

M28S

M28 STRANSISTOR(NPN)SOT23 FEATURES Excellent hFE Linearity High DC Current Gain MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage 40 V CBO 3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage 20 V CEOVEBO Emitter-Base Voltage 6 V I Collector Current 1 A CP Collector Power Dissipation 200 mW

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2SA1837

 

 
Back to Top

 


 
.