Биполярный транзистор PXT3904 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PXT3904
Маркировка: 1A_P1A_p1A_p1A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT89
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PXT3904 Datasheet (PDF)
pxt3904 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D109PXT3904NPN switching transistor1999 Apr 14Product specificationSupersedes data of 1997 May 05Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor PXT3904FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 emitter2 collectorAPPLICATIONS3 base High-s
pxt3904.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L PXT3904 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR 1 Compliment to PXT3906 2 3 Low current 3. EMITTER Low voltage MARKING: 1A MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Colle
pxt3904.pdf

PXT3904TRANSISTOR(NPN) SOT-89 1. BASE FEATURES 1 2. COLLECTOR Compliment to PXT3906 2 Low current 3. EMITTER 3 Low voltage MARKING: 1A MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current -Continuous 0.2 A
pxt3904.pdf

PXT3904 SOT-89 Transistor(NPN)1. BASE SOT-891 2. COLLECTOR 4.63. EMITTER B4.42 1.61.81.41.43 Features2.64.252.43.75 Compliment to PXT3906 0.8MIN Low current 0.530.400.480.442x)0.13 B0.35 0.37 Low voltage 1.53.0MARKING: 1A Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Para
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: XA162 | 2SA2014 | 2N3902 | 2SA557 | 2N1865 | 2SD1080 | 849BT
History: XA162 | 2SA2014 | 2N3902 | 2SA557 | 2N1865 | 2SD1080 | 849BT



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424