SD350. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SD350

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для SD350

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SD350 даташит

 0.1. Size:181K  inchange semiconductor
2sd350.pdfpdf_icon

SD350

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD350 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV receivers and switching appl

 0.2. Size:147K  inchange semiconductor
2sd350a.pdfpdf_icon

SD350

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD350A DESCRIPTION With TO-3 package High voltage ,high speed APPLICATIONS For color TV horizontal deflection output applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы: SD338, SD339, SD340, SD345, SD346, SD347, SD348, SD349, S9013, SD401, SD402, SD403, SD404, SD405, SD406, SD407, SD408