Биполярный транзистор 2N5915 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5915
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 14 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Корпус транзистора: TO128
2N5915 Datasheet (PDF)
2n5911 2n5912.pdf
2N5911/5912Vishay SiliconixMatched N-Channel JFET PairsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV)2N5911 1 to 5 25 5 1 102N5912 1 to 5 25 5 1 15FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Two-Chip Design D Minimum Parasitics Ensuring Maximum D Wideband Differential AmpsHigh-Frequency PerformanceD High
2n5910 pn5910 2n5771.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n5911 2n5912.pdf
Dual N-Channel JFETHigh Frequency AmplifierCORPORATION2N5911 / 2N5912FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise specified)A Tight Tracking Low Insertion Loss Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V Good Matching Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mAStorage Te
Другие транзисторы... 2N5899 , 2N59 , 2N5900 , 2N5901 , 2N591 , 2N5910 , 2N5913 , 2N5914 , BD139 , 2N591-5 , 2N5916 , 2N5917 , 2N5918 , 2N5918A , 2N5919 , 2N5919A , 2N591A .
