2N5915 - описание и поиск аналогов

 

2N5915. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5915

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 14 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для 2N5915

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5915 даташит

 9.1. Size:311K  rca
 2n591.pdf pdf_icon

2N5915

 9.2. Size:58K  vishay
 2n5911 2n5912.pdf pdf_icon

2N5915

2N5911/5912 Vishay Siliconix Matched N-Channel JFET Pairs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV) 2N5911 1 to 5 25 5 1 10 2N5912 1 to 5 25 5 1 15 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Two-Chip Design D Minimum Parasitics Ensuring Maximum D Wideband Differential Amps High-Frequency Performance D High

 9.3. Size:65K  central
 2n5910 pn5910 2n5771.pdf pdf_icon

2N5915

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.4. Size:24K  calogic
 2n5911 2n5912.pdf pdf_icon

2N5915

Dual N-Channel JFET High Frequency Amplifier CORPORATION 2N5911 / 2N5912 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise specified) A Tight Tracking Low Insertion Loss Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V Good Matching Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Storage Te

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5899, 2N59, 2N5900, 2N5901, 2N591, 2N5910, 2N5913, 2N5914, BC547, 2N591-5, 2N5916, 2N5917, 2N5918, 2N5918A, 2N5919, 2N5919A, 2N591A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.