Справочник транзисторов. 2N591-5

 

Биполярный транзистор 2N591-5 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N591-5
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.055 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO5
 

 Аналог (замена) для 2N591-5

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N591-5 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:311K  rca
 2n591.pdf pdf_icon

2N591-5

 9.2. Size:58K  vishay
 2n5911 2n5912.pdf pdf_icon

2N591-5

2N5911/5912Vishay SiliconixMatched N-Channel JFET PairsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV)2N5911 1 to 5 25 5 1 102N5912 1 to 5 25 5 1 15FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Two-Chip Design D Minimum Parasitics Ensuring Maximum D Wideband Differential AmpsHigh-Frequency PerformanceD High

 9.3. Size:65K  central
 2n5910 pn5910 2n5771.pdf pdf_icon

2N591-5

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.4. Size:24K  calogic
 2n5911 2n5912.pdf pdf_icon

2N591-5

Dual N-Channel JFETHigh Frequency AmplifierCORPORATION2N5911 / 2N5912FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise specified)A Tight Tracking Low Insertion Loss Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V Good Matching Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mAStorage Te

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N59 , 2N5900 , 2N5901 , 2N591 , 2N5910 , 2N5913 , 2N5914 , 2N5915 , BD139 , 2N5916 , 2N5917 , 2N5918 , 2N5918A , 2N5919 , 2N5919A , 2N591A , 2N592 .

History: 2SA1563 | BSV21

 

 
Back to Top

 


 
.