2N591-5 - описание и поиск аналогов

 

2N591-5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N591-5

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.055 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N591-5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N591-5 даташит

 9.1. Size:311K  rca
2n591.pdfpdf_icon

2N591-5

 9.2. Size:58K  vishay
2n5911 2n5912.pdfpdf_icon

2N591-5

2N5911/5912 Vishay Siliconix Matched N-Channel JFET Pairs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 VGS2j Max (mV) 2N5911 1 to 5 25 5 1 10 2N5912 1 to 5 25 5 1 15 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Two-Chip Design D Minimum Parasitics Ensuring Maximum D Wideband Differential Amps High-Frequency Performance D High

 9.3. Size:65K  central
2n5910 pn5910 2n5771.pdfpdf_icon

2N591-5

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.4. Size:24K  calogic
2n5911 2n5912.pdfpdf_icon

2N591-5

Dual N-Channel JFET High Frequency Amplifier CORPORATION 2N5911 / 2N5912 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise specified) A Tight Tracking Low Insertion Loss Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -25V Good Matching Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Storage Te

Другие транзисторы: 2N59, 2N5900, 2N5901, 2N591, 2N5910, 2N5913, 2N5914, 2N5915, 2SC5200, 2N5916, 2N5917, 2N5918, 2N5918A, 2N5919, 2N5919A, 2N591A, 2N592

 

 

 

 

↑ Back to Top
.