Справочник транзисторов. MMBT591

 

Биполярный транзистор MMBT591 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT591
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для MMBT591

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT591 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  secos
 mmbt591.pdf pdf_icon

MMBT591

MMBT591PNP SiliconElektronische Bauelemente General Purpose TransistorRoHS Compliant ProductA suffix of "-C" specifies halogen & lead-freeSOT-23FEATURESDim Min MaxCOLLECTOR3 A 2.800 3.0403B 1.200 1.400Power dissipation11C 0.890 1.1102PCM : 0.5 WBASED 0.370 0.500Collector CurrentG 1.780 2.040ICM : -1 A A2H 0.013 0.100LEMITTERCol

 8.1. Size:458K  fairchild semi
 mmbt5962.pdf pdf_icon

MMBT591

Discrete POWER & SignalTechnologies2N5962 MMBT5962CEC TO-92BBE SOT-23Mark: 117NPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as low noise, high gain, generalpurpose amplifiers requiring collector currents to 50 mA.Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value U

 8.2. Size:469K  fairchild semi
 2n5962 mmbt5962.pdf pdf_icon

MMBT591

Discrete POWER & SignalTechnologies2N5962 MMBT5962CEC TO-92BBE SOT-23Mark: 117NPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as low noise, high gain, generalpurpose amplifiers requiring collector currents to 50 mA.Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value U

 8.3. Size:349K  secos
 mmbt593.pdf pdf_icon

MMBT591

MMBT593 PNP Silicon General Purpose Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Collector AL3 Medium Power Transistor 33Top View C B1 11 2BaseMARKING 2K E 593 2 DEmitterH JF GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Millimeter MillimeterREF. REF.Min. Max. Min. Max.Paramet

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top

 


 
.