MMBT591 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT591  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT591

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT591 даташит

 ..1. Size:207K  secos
 mmbt591.pdf pdf_icon

MMBT591

MMBT591 PNP Silicon Elektronische Bauelemente General Purpose Transistor RoHS Compliant Product A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Dim Min Max COLLECTOR 3 A 2.800 3.040 3 B 1.200 1.400 Power dissipation 1 1 C 0.890 1.110 2 PCM 0.5 W BASE D 0.370 0.500 Collector Current G 1.780 2.040 ICM -1 A A 2 H 0.013 0.100 L EMITTER Col

 8.1. Size:458K  fairchild semi
 mmbt5962.pdf pdf_icon

MMBT591

Discrete POWER & Signal Technologies 2N5962 MMBT5962 C E C TO-92 B B E SOT-23 Mark 117 NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as low noise, high gain, general purpose amplifiers requiring collector currents to 50 mA. Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value U

 8.2. Size:469K  fairchild semi
 2n5962 mmbt5962.pdf pdf_icon

MMBT591

Discrete POWER & Signal Technologies 2N5962 MMBT5962 C E C TO-92 B B E SOT-23 Mark 117 NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as low noise, high gain, general purpose amplifiers requiring collector currents to 50 mA. Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value U

 8.3. Size:349K  secos
 mmbt593.pdf pdf_icon

MMBT591

MMBT593 PNP Silicon General Purpose Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Collector A L 3 Medium Power Transistor 3 3 Top View C B 1 1 1 2 Base MARKING 2 K E 593 2 D Emitter H J F G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. Paramet

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT3904Z, MMBT3906FW, MMBT3906Z, MMBT4401W, MMBT491, MMBT493, MMBT5401W, MMBT5551W, 13009, MMBT593, MMBT619, MMBTA42W, MMBTA92W, MMDT4944, PZT13003, S8050T, S8550T