BCP5551 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BCP5551  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BCP5551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCP5551 даташит

 ..1. Size:342K  secos
bcp5551.pdfpdf_icon

BCP5551

BCP5551 NPN Epitaxial Elektronische Bauelemente Planar Transistor RoHS Compliant Product SOT-89 Features Designed for gereral prupose application requiring high breakdown voltage. 1 2 3 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 4.4 4.6 G 3.00 REF. B 4.05 4.25 H 1.50 REF. Marking 5551 C 1.50 1.70 I 0.40 0.52 D 1.30 1.50 J 1.40 1.60 XXXX E 2.40 2

 9.1. Size:153K  philips
bc637 bcp55 bcx55.pdfpdf_icon

BCP5551

BC637; BCP55; BCX55 60 V, 1 A NPN medium power transistors Rev. 07 25 June 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN medium power transistor series. Table 1. Product overview Type number[1] Package PNP complement NXP JEITA JEDEC BC637[2] SOT54 SC-43A TO-92 BC638 BCP55 SOT223 SC-73 - BCP52 BCX55 SOT89 SC-62 TO-243 BCX52 [1] Valid for all available sel

 9.2. Size:48K  philips
bcp54 bcp55 bcp56 3.pdfpdf_icon

BCP5551

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D087 BCP54; BCP55; BCP56 NPN medium power transistors 1999 Apr 08 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 08 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistors BCP54; BCP55; BCP56 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 base 2, 4 collector AP

 9.3. Size:71K  st
bcp55-bcp56.pdfpdf_icon

BCP5551

BCP55/56 MEDIUM POWER AMPLIFIER ADVANCE DATA SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORS MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING CIRCUITS GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED 2 FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER 3 OUTPUT STAGE 2 PNP COMPLEMENTS ARE BCP52 AND 1 BCP53 RESPECTIVELY SOT-223 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE

Другие транзисторы: BCP156, BCP157, BCP1766, BCP1898, BCP195, BCP2098, BCP4672, BCP5401, C3198, BCP669A, BCP772, BCP869, BCP882, BCPA14, BCPA42, BCPA94, BD13003B