Справочник транзисторов. PZT359

 

Биполярный транзистор PZT359 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: PZT359
   Маркировка: 359
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для PZT359

 

 

PZT359 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  secos
pzt359.pdf

PZT359
PZT359

PZT359PNP Silicon PlanarElektronische Bauelemente High Current TransistorRoHS Compliant ProductFeatures 5 Amps continuous current, up to 10 Amp peak current. SOT-223 Excellent gain characteristic specified up to 10Amps. Very low saturation voltage Mechanical DataC Case: SOT-223 Plastic Package 1.6

 9.1. Size:736K  secos
pzt358.pdf

PZT359
PZT359

PZT358NPN Transistor Elektronische BauelementeSilicon Planar High Current TransistorRoHS Compliant ProductA suffix of "-C" specifies halogen & lead-free SOT-223DescriptionC The PZT358 is designed for general3 purpose switching and amplifier applications. E41Features5I * 6Amps Continous Current, Up ToJ2 10Amps Peak Current * Excellent Gain Characteris

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 

Back to Top