PZT559A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PZT559A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 33 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для PZT559A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PZT559A даташит

 ..1. Size:1603K  secos
 pzt559a.pdf pdf_icon

PZT559A

PZT559A PNP Silicon Silicon Planar Medium Power Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-223 The PZT559A is designed for general purpose switching and amplifier applications. FEATURES 4 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current. Excellent gain characteristic specified up to

 8.1. Size:924K  secos
 pzt559.pdf pdf_icon

PZT559A

PZT559 PNP Silicon Planar Elektronische Bauelemente High Current Transistor RoHS Compliant Product SOT-223 Description The PZT559 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Features * Excellent Gain Characteristic Specified Up To 3 Amps. Millimeter Millimeter REF. REF. * 4 Amps Continuous Current, Up To Min. Max. Min. Max. 10 Amps Peak Cu

 9.1. Size:193K  utc
 pzt5551.pdf pdf_icon

PZT559A

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD PZT5551 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High Collector-Emitter Voltage VCEO=160V * High current gain ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 PZT5551L-x-AA3-R PZT5551G-x-AA3-R SOT-223 B C E Tape Reel www.unisonic.com.tw 1of 4 Copyright 20

 9.2. Size:333K  wietron
 pzt5551.pdf pdf_icon

PZT559A

PZT5551 NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor COLLECTOR 2, 4 4 1. BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER BASE 4.COLLECTOR 1 1 2 3 3 SOT-223 EMITTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) Symbol Rating Value Unit V Collector-Emitter Voltage CEO V 160 VCBO Collector-Base Voltage 180 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current (DC) 600 mA PD Total Device Disspation 1.5 W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PZT158, PZT159, PZT194, PZT195, PZT358, PZT359, PZT4672, PZT559, 2SC828, PZT6718, PZT772, PZT882, PZT965, PZT987A, PZTA27, PZTA94, SZD772