Справочник транзисторов. PZT559A

 

Биполярный транзистор PZT559A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: PZT559A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 33 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для PZT559A

 

 

PZT559A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1603K  secos
pzt559a.pdf

PZT559A
PZT559A

PZT559A PNP Silicon Silicon Planar Medium Power Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-223 The PZT559A is designed for general purpose switching and amplifier applications. FEATURES 4 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current. Excellent gain characteristic specified up to

 8.1. Size:924K  secos
pzt559.pdf

PZT559A
PZT559A

PZT559PNP Silicon Planar Elektronische Bauelemente High Current TransistorRoHS Compliant ProductSOT-223Description The PZT559 is designed for general purpose switching and amplifier applications.Features * Excellent Gain Characteristic Specified Up To 3 Amps.MillimeterMillimeterREF. REF. * 4 Amps Continuous Current, Up To Min. Max. Min. Max. 10 Amps Peak Cu

 9.1. Size:193K  utc
pzt5551.pdf

PZT559A
PZT559A

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD PZT5551 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V * High current gain ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 PZT5551L-x-AA3-R PZT5551G-x-AA3-R SOT-223 B C E Tape Reelwww.unisonic.com.tw 1of 4 Copyright 20

 9.2. Size:333K  wietron
pzt5551.pdf

PZT559A
PZT559A

PZT5551NPN Silicon Planar Epitaxial TransistorCOLLECTOR2, 441. BASE2.COLLECTOR 3.EMITTERBASE4.COLLECTOR 11 233SOT-223EMITTERABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C)SymbolRating Value UnitVCollector-Emitter Voltage CEO V160VCBOCollector-Base Voltage 180 VVEBOEmitter-Base Voltage 6 VICCollector Current (DC) 600 mAPDTotal Device Disspation 1.5 W

 9.3. Size:222K  cystek
pzt5551l3.pdf

PZT559A
PZT559A

Spec. No. : C208L3 Issued Date : 2004.09.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2008.07.04 Page No. : 1/5 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor PZT5551L3Description The PZT5551L3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BT

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top