Биполярный транзистор PZT772 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PZT772
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT223
PZT772 Datasheet (PDF)
pzt772.pdf
PZT772PNP Transistor Elektronische BauelementeEpitaxial Planar TransistorRoHS Compliant ProductSOT-223Description The PZT772 is designed for using in output stage of 2W amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and driver. REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.70 7.30 B 13 TYP. C 2.90 3.10 J 2.30 REF. 7 7 2D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 Date CodeE 0 10 2 6.30 6
pzt772.pdf
PZT772PNP Silicon Epitaxial TransistorCOLLECTOR2, 44P b Lead(Pb)-Free1. BASE2. COLLECTORBASE13. EMITTER1 24. COLLECTOR33SOT-223EMITTERABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C)Rating Symbol Value UnitVCBOCollector to Base Voltage-40 VVCEOCollector to Emitter Voltage-30 VVEBOCollector to Base Voltage -5.0 VICCollector Current A-3.0Total Device
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050