PZT3019. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PZT3019

Маркировка: 3019

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для PZT3019

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PZT3019 даташит

 ..1. Size:728K  secos
 pzt3019.pdf pdf_icon

PZT3019

PZT3019 NPN Transistor Elektronische Bauelemente Epitaxial Planar Transistor RoHS Compliant Product SOT-223 Description The PZT3019 is designed for general purpose amplifier applications and switching requiring collector currents 1A. Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.70 7.30 B 13 TYP. 3 0 1 9 C 2.90 3.10 J 2.30 REF. Date Code D 0.02 0.10 1 6.30

Другие транзисторы: BD034, CZD1181, CZD4672, CZD8050, CZD8550, CZD882, PZT194A, PZT195A, 13007, PZT32C, PZT5712, PZT649A, PZT9401A, PZT9411A, PZTA06, PZTA56, PZTA64