SMUN5212DW datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SMUN5212DW  📄📄 

Маркировка: 7D

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.256 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT-363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для SMUN5212DW

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SMUN5212DW даташит

 8.1. Size:477K  secos
 smun52xxdw.pdf pdf_icon

SMUN5212DW

SMUN52XXDW NPN Multi-Chip Elektronische Bauelemente Built-in Resistors Transistor The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor SOT-363 with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series o .055(1.40) 8 base resistor and a base emitter resistor. These digital transistors are .047(1.20) 0o .026TYP designed to replace a single device and its e

 9.1. Size:327K  secos
 smun5311dw series.pdf pdf_icon

SMUN5212DW

SMUN5311DW Series NPN / PNP Digital Small Signal Transistors Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C indicates halogen-free. DESCRIPTION SOT-363 The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors

Другие транзисторы: DTC143TCA, DTC143TE, DTC143XCA, DTC144ESA, DTC144TCA, DTC144TE, EMG11, SMUN5211DW, 2SC5198, SMUN5213DW, SMUN5214DW, SMUN5215DW, SMUN5216DW, SMUN5230DW, SMUN5231DW, SMUN5232DW, SMUN5233DW