Справочник транзисторов. SMUN5312DW

 

Биполярный транзистор SMUN5312DW - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: SMUN5312DW
   Маркировка: 12
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для SMUN5312DW

 

 

SMUN5312DW Datasheet (PDF)

 7.1. Size:327K  secos
smun5311dw series.pdf

SMUN5312DW
SMUN5312DW

SMUN5311DW Series NPN / PNP Digital Small Signal Transistors Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C indicates halogen-free. DESCRIPTION SOT-363 The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors

 9.1. Size:477K  secos
smun52xxdw.pdf

SMUN5312DW
SMUN5312DW

SMUN52XXDW NPN Multi-ChipElektronische BauelementeBuilt-in Resistors TransistorThe BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistorSOT-363 with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series o.055(1.40)8 base resistor and a baseemitter resistor. These digital transistors are .047(1.20)0o .026TYP designed to replace a single device and its e

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 

Back to Top