SMUN5330DW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMUN5330DW

Маркировка: 30

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для SMUN5330DW

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SMUN5330DW даташит

 8.1. Size:327K  secos
 smun5311dw series.pdf pdf_icon

SMUN5330DW

SMUN5311DW Series NPN / PNP Digital Small Signal Transistors Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C indicates halogen-free. DESCRIPTION SOT-363 The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors

 9.1. Size:477K  secos
 smun52xxdw.pdf pdf_icon

SMUN5330DW

SMUN52XXDW NPN Multi-Chip Elektronische Bauelemente Built-in Resistors Transistor The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor SOT-363 with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series o .055(1.40) 8 base resistor and a base emitter resistor. These digital transistors are .047(1.20) 0o .026TYP designed to replace a single device and its e

Другие транзисторы: SMUN5236DW, SMUN5237DW, SMUN5311DW, SMUN5312DW, SMUN5313DW, SMUN5314DW, SMUN5315DW, SMUN5316DW, TIP32C, SMUN5331DW, SMUN5332DW, SMUN5333DW, SMUN5334DW, UMH13N, UMH15N, 2SB1412, 3DD13002B