Биполярный транзистор BC846BDW Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BC846BDW
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT-363
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BC846BDW Datasheet (PDF)
bc846bdw bc847 bc848.pdf

BC846BDW SeriesGeneral Purpose Transistor2 13654NPN Duals12P b Lead(Pb)-Free345 6SOT-363(SC-88)NPN+NPNMaximum RatingsBC846 BC847Rating Symbol BC848Unit65 45Collector-Emitter Voltage V 30CEO Vdc80 50Collector-Base Voltage VCBO 30Vdc6.0Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 5.0VdcCollector Current-Continuous IC 100 100100 mAdcThermal Characteri
bc846bdw1t1g bc847bdw1t1g bc847cdw1t1g bc848cdw1t1g.pdf

DATA SHEETwww.onsemi.comDual General PurposeTransistorsSOT-363/SC-88CASE 419BNPN DualsSTYLE 1BC846BDW1, BC847BDW1,(3) (2) (1)BC848CDW1These transistors are designed for general purpose amplifierQ1 Q2applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which isdesigned for low power surface mount applications.(4) (5) (6)Features S and NSV Prefixes for Automotiv
sbc846bdw1t1g.pdf

BC846BDW1T1G,SBC846BDW1T1G,BC847BDW1T1G,SBC847BDW1T1G Series,NSVBC847BDW1T2G,BC848CDW1T1Ghttp://onsemi.comDual General PurposeTransistorsSOT-363CASE 419BNPN DualsSTYLE 1These transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is(3) (2) (1)designed for low power surface mount applications.FeaturesQ1 Q
bc847bdw1t3g bc846bdw1t1g.pdf

BC846BDW1T1G,SBC846BDW1T1G,BC847BDW1T1G,SBC847BDW1T1G Series,NSVBC847BDW1T2G,BC848CDW1T1Ghttp://onsemi.comDual General PurposeTransistorsSOT-363CASE 419BNPN DualsSTYLE 1These transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is(3) (2) (1)designed for low power surface mount applications.FeaturesQ1 Q
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: ACY13 | L2SA2029QM3T5G | 2N3500S | KT209A | 2SD1106 | 2N1044 | 2PB709AXL
History: ACY13 | L2SA2029QM3T5G | 2N3500S | KT209A | 2SD1106 | 2N1044 | 2PB709AXL



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004