BC846CW. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BC846CW
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 420
Корпус транзистора: SOT-323
Аналоги (замена) для BC846CW
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
BC846CW даташит
bc846alt1g bc846blt1g bc846clt1g bc847alt1g bc847blt1g bc847clt1g bc848alt1g bc848blt1g bc848clt1g bc849blt1g bc849clt1g bc850blt1g bc850clt1g.pdf
General Purpose Transistors NPN Silicon BC846ALT1G Series Features Moisture Sensitivity Level 1 www.onsemi.com ESD Rating - Human Body Model > 4000 V ESD Rating - Machine Model > 400 V COLLECTOR S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE These Device
bc846amtf bc846bmtf bc846cmtf bc847amtf bc847bmtf bc847cmtf bc848bmtf bc848cmtf bc850amtf bc850cmtf.pdf
BC846 / BC847 / BC848 / BC850 NPN Epitaxial Silicon Transistor Features 3 Switching and Amplifier Applications Suitable for Automatic Insertion in Thick and Thin-film Circuits Low Noise BC850 2 Complement to BC856, BC857, BC858, BC859, and BC860 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Ordering Information(1) Part Number Marking Package Packing Method BC846AMTF 8A
bc846a bc846b bc846c bc847a bc847b bc847c bc848a bc848b bc848c bc849a bc849b bc849c bc850a bc850b bc850c.pdf
BC846 BC850 NPN Silicon Epitaxial Transistor for switching and amplifier applications SOT-23 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage BC846 VCBO 80 V BC847, BC850 VCBO 50 V BC848, BC849 VCBO 30 V Collector Emitter Voltage BC846 VCEO 65 V BC847, BC850 VCEO 45 V BC848, BC849 VCEO 30 V Emitter Base Voltage BC
bc846c-g bc847b-g.pdf
Small Signal Transistor BC846A-G Thru. BC848C-G (NPN) RoHS Device Features -Power dissipation O PCM 0.20W (@TA=25 C) SOT-23 -Collector current ICM 0.1A -Collector-base voltage 0.118(3.00) 0.110(2.80) VCBO BC846=80V 3 BC847=50V 0.055(1.40) BC848=30V 0.047(1.20) -Operating and storage junction temperature 1 2 O range TJ, TSTG= -65 to +150 C 0.079(2.00) 0.071(1.80)
Другие транзисторы... 2SB1412 , 3DD13002B , A1015LT1 , A733LT1 , BC5347B , BC546C , BC846BDW , BC846BPDW , 2N3904 , BC847BDW , BC847BPDW , BC848BDW , BC848BPDW , BC856BDW , BC857BDW , BC858BDW , C1815LT1 .
History: 2SD261 | FJ0240-12 | 3DA458 | 3DA150A | 3DA150D
History: 2SD261 | FJ0240-12 | 3DA458 | 3DA150A | 3DA150D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a








