BC847BDW - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

BC847BDW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC847BDW

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-363

Аналоги (замена) для BC847BDW

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

BC847BDW даташит

0.1. Size:218K onsemi
bc846bdw1t1g bc847bdw1t1g bc847cdw1t1g bc848cdw1t1g.pdf pdf_icon

DATA SHEET www.onsemi.com Dual General Purpose Transistors SOT-363/SC-88 CASE 419B NPN Duals STYLE 1 BC846BDW1, BC847BDW1, (3) (2) (1) BC848CDW1 These transistors are designed for general purpose amplifier Q1 Q2 applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is designed for low power surface mount applications. (4) (5) (6) Features S and NSV Prefixes for Automotiv

0.2. Size:144K onsemi
bc847bdw1t1g bc848cdw1t1g.pdf pdf_icon

BC846BDW1T1G, SBC846BDW1T1G, BC847BDW1T1G, SBC847BDW1T1G Series, NSVBC847BDW1T2G, BC848CDW1T1G http //onsemi.com Dual General Purpose Transistors SOT-363 CASE 419B NPN Duals STYLE 1 These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is (3) (2) (1) designed for low power surface mount applications. Features Q1 Q

0.3. Size:144K onsemi
nsvbc847bdw1t2g.pdf pdf_icon