Справочник транзисторов. BC848BDW

 

Биполярный транзистор BC848BDW Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC848BDW
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
   Корпус транзистора: SOT-363
 

 Аналог (замена) для BC848BDW

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC848BDW Datasheet (PDF)

 0.1. Size:209K  lrc
 lbc846bdw1t1g lbc846bdw1t3g lbc847bdw1t1g lbc847bdw1t3g lbc847cdw1t1g lbc847cdw1t3g lbc848bdw1t1g lbc848bdw1t3g lbc848cdw1t1g lbc848cdw1t3g lbc846adw1t1g lbc846adw1t3g.pdf pdf_icon

BC848BDW

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsNPN DualsLBC846ADW1T1G These transistors are designed for general purpose amplifierLBC846BDW1T1Gapplications. They are housed in the SOT363/SC88 which isdesigned for low power surface mount applications.LBC847BDW1T1GWe declare that the material of product compliance with LBC847CDW1T1GRoHS requirements.LBC848

 0.2. Size:226K  lrc
 lbc848bdw1t1g.pdf pdf_icon

BC848BDW

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC846ADW1T1GDual General Purpose TransistorsLBC846BDW1T1GNPN DualsLBC847BDW1T1GLBC847CDW1T1G These transistors are designed for general purpose amplifierLBC848BDW1T1Gapplications. They are housed in the SOT363/SC88 which isLBC848CDW1T1Gdesigned for low power surface mount applications.We declare that the material of product compliance wit

 0.3. Size:209K  lrc
 lbc846bdw1t1g lbc847bdw1t1g lbc847cdw1t1g lbc848bdw1t1g lbc848cdw1t1g lbc846adw1t1g.pdf pdf_icon

BC848BDW

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsNPN DualsLBC846ADW1T1G These transistors are designed for general purpose amplifierLBC846BDW1T1Gapplications. They are housed in the SOT363/SC88 which isdesigned for low power surface mount applications.LBC847BDW1T1GWe declare that the material of product compliance with LBC847CDW1T1GRoHS requirements.LBC848

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... A733LT1 , BC5347B , BC546C , BC846BDW , BC846BPDW , BC846CW , BC847BDW , BC847BPDW , 2N5401 , BC848BPDW , BC856BDW , BC857BDW , BC858BDW , C1815LT1 , C945LT1 , LB123T , M8050LT1 .

History: BCW94K | 2SC4097-P | SS216 | D41DU10 | 2SD986O | MJ4211

 

 
Back to Top

 


 
.