Справочник транзисторов. BC856BDW

 

Биполярный транзистор BC856BDW Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC856BDW
   Маркировка: 3B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
   Корпус транзистора: SOT-363
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BC856BDW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1005K  wietron
bc856bdw bc857 bc858.pdfpdf_icon

BC856BDW

BC856BDW SeriesPNP Dual General Purpose Transistors2 13P b Lead(Pb)-Free65412345 6PNP+PNPSOT-363(SC-88)Maximum RatingsRating Symbol BC856 BC857 BC858 Unit65 45 30Collector-Emitter Voltage VCEOV80 50 30Collector-Base Voltage VCBOV5.0 5.0 5.0Emitter-Base Voltage VEBOVCollector Current-Continuous IC 100 100100 mAThermal CharacteristicsChara

 0.1. Size:82K  onsemi
bc856bdw1t1g bc857bdw1t1g bc857cdw1t1g bc858cdw1t1g.pdfpdf_icon

BC856BDW

BC856BDW1T1G,SBC856BDW1T1G Series,BC857BDW1T1G,SBC857BDW1T1G Series,BC858CDW1T1G Serieswww.onsemi.comDual General PurposeTransistorsPNP DualsSOT-363/SC-88These transistors are designed for general purpose amplifierCASE 419BSTYLE 1applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which isdesigned for low power surface mount applications.(3) (2) (1)Features S

 0.2. Size:156K  onsemi
bc856bdw1t1g sbc856bdw1t1g bc857bdw1t1g sbc857bdw1t1g bc857cdw1t1g sbc857cdw1t1g bc858cdw1t1g.pdfpdf_icon

BC856BDW

BC856BDW1T1G,SBC856BDW1T1G Series,BC857BDW1T1G,SBC857BDW1T1G Series,BC858CDW1T1G Serieswww.onsemi.comDual General PurposeTransistorsPNP DualsSOT-363/SC-88These transistors are designed for general purpose amplifierCASE 419BSTYLE 1applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which isdesigned for low power surface mount applications.(3) (2) (1)Features S

 0.3. Size:181K  onsemi
sbc856bdw1t1g.pdfpdf_icon

BC856BDW

BC856BDW1T1G,SBC856BDW1T1G Series,BC857BDW1T1G,SBC857BDW1T1G Series,BC858CDW1T1G SeriesPreferred Deviceshttp://onsemi.comDual General PurposeTransistorsPNP DualsSOT-363/SC-88CASE 419BSTYLE 1These transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is(3) (2) (1)designed for low power surface mount applicat

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 3CA1964 | DMC96404 | BDS28CN2 | BU931ZP | BF460EA | ESM2894 | 2SD1074

 

 
Back to Top

 


 
.