Справочник транзисторов. MBT3904DW

 

Биполярный транзистор MBT3904DW Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MBT3904DW
   Маркировка: MA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-363
 

 Аналог (замена) для MBT3904DW

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT3904DW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  onsemi
smbt3904dw1t1g mbt3904dw.pdfpdf_icon

MBT3904DW

MBT3904DW1T1G,MBT3904DW2T1G,SMBT3904DW1T1GDual General PurposeTransistorshttp://onsemi.comThe MBT3904DW1T1G and MBT3904DW2T1G devices are aspin-off of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It isMARKINGdesigned for general purpose amplifier applications and is housed inDIAGRAMthe SOT-363 six-leaded surface mount package. By putting two6discrete devices in one

 ..2. Size:247K  wietron
mbt3904dw.pdfpdf_icon

MBT3904DW

MBT3904DWDual General Purpose Transistor2 13654NPN+NPN Silicon12345 6SOT-363(SC-88)NPN+NPNMaximum RatingsRating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage V 40 VdcCEOCollector-Base Voltage VCBO 60 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current-Continuous IC 200 mAdcThermal CharacteristicsCharacteristics Symbol Max UnitTotal Device Dissipa

 0.1. Size:96K  onsemi
mbt3904dw1 mbt3904dw2 smbt3904dw1 nsvmbt3904dw1.pdfpdf_icon

MBT3904DW

MBT3904DW1,MBT3904DW2,SMBT3904DW1,NSVMBT3904DW1Dual General Purposewww.onsemi.comTransistorsMARKINGThe MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin-off ofDIAGRAMour popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for6general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363SOT-363/SC-88/six-leaded surface mount package. By putting two discrete de

 0.2. Size:100K  onsemi
nsvmbt3904dw1t3g.pdfpdf_icon

MBT3904DW

MBT3904DW1,MBT3904DW2,SMBT3904DW1,NSVMBT3904DW1Dual General Purposewww.onsemi.comTransistorsMARKINGThe MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin-off ofDIAGRAMour popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for6general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363SOT-363/SC-88/six-leaded surface mount package. By putting two discrete de

Другие транзисторы... BC858BDW , C1815LT1 , C945LT1 , LB123T , M8050LT1 , M8550LT1 , MBT2222ADW , MBT2907ADW , 2N3906 , MBT3906DW , MBT3946DW , MJE13003B , MMBT3904E , MMBT3906E , MMDT2227DW , MSB709 , MSD601 .

History: 2SA1209T

 

 
Back to Top

 


 
.