Биполярный транзистор MSD601 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MSD601
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
Корпус транзистора: SOT23
Аналог (замена) для MSD601
MSD601 Datasheet (PDF)
msd601.pdf

MSD601NPN General Purpose Transistors31P b Lead(Pb)-Free2SOT-23MAXIMUM RATINGS(Ta=25C)Rating Symbol Value UnitCollector-Emitter VoltageVCEO50 VVCBOCollector-Base Voltage 60 VVEBOEmitter-Base Voltage 7.0 VICCollector Current - Continuous 100 mAIC(P)Collector Current - Peak 200 mATotal Device DissipationPD0.2 mWTA=25CTj CJunction Temperature
msd601-r.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MSD601RT1/DNPN General Purpose Amplifier*MSD601-RT1Transistors Surface MountCOLLECTORMSD601-ST13*Motorola Preferred Device2 13BASE EMITTERMAXIMUM RATINGS (TA = 25C) 21Rating Symbol Value UnitCollectorBase Voltage V(BR)CBO 60 VdcCASE 318D03, STYLE 1CollectorEmitter Voltage V(BR)CEO 50
msd601-rt1 msd601-st1.pdf

MSD601-RT1, MSD601-ST1Preferred Device NPN General PurposeAmplifier TransistorsSurface MountFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector - Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc1 2BASE EMITTERCollector - Emitter Voltage V(BR)CEO 50 VdcEmitter - Base Voltage V(BR)EBO 7.0 VdcMARKINGColl
msd601-r.pdf

MSD601-RT1, MSD601-ST1Preferred Device NPN General PurposeAmplifier TransistorsSurface MountFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector - Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc1 2BASE EMITTERCollector - Emitter Voltage V(BR)CEO 50 VdcEmitter - Base Voltage V(BR)EBO 7.0 VdcMARKINGColl
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: STN0214 | HQP1498QF | BUS14-7 | BUR50 | JC548B | BUR50S
History: STN0214 | HQP1498QF | BUS14-7 | BUR50 | JC548B | BUR50S



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z