S9012LT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: S9012LT1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для S9012LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S9012LT1 даташит

 ..1. Size:238K  wietron
 s9012lt1.pdf pdf_icon

S9012LT1

S9012LT1 PNP General Purpose Transistors 3 P b Lead(Pb)-Free 1 2 SOT-23 Value V CEO -20 -40 -5 -500 300 2.4 417 S9012PLT1=12P S9012QLT1=12Q S9012RLT1=12R S9012SLT1=12S -0.1 -20 -100 -40 -5.0 -100 u -0.15 -35 -0.15 u -4.0 WEITRON 1/2 28-Apr-2011 http //www.weitron.com.tw S9012LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characterist

 ..2. Size:371K  shenzhen
 s9012lt1.pdf pdf_icon

S9012LT1

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 1. BASE S9012LT1 TRANSISTOR (PNP) 2. EMITTER 3. COLLECTOR FEATURES Power dissipation 2. 4 PCM 0.3 W (Tamb=25 ) 1. 3 Collector current ICM -0.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO -40 V Operating and storage junction temperature range Unit mm TJ, Tst

 7.1. Size:939K  bruckewell
 s9012lt.pdf pdf_icon

S9012LT1

Bruckewell Technology Corp., Ltd. PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR S9012LT FEATURES Excellent HFE Linearity HFE hFE(2)=25(Min.) at VCE=6V ,Ic=400m High Total Power Dissipation Pc=225mW MECHANICAL DATA * Case SOT-23 Molded plastic * Epoxy UL94V-O rate flame retardant SOT-23 Dimensions in millimeter MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Maximum Ratings (T

 8.1. Size:574K  umw-ic
 s9012l s9012h s9012j.pdf pdf_icon

S9012LT1

R UMW UMW S9012 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9012 TRANSISTOR (PNP) SOT-23 FEATURES High Collector Current Complementary To S9013 1. BASE Excellent hFE Linearity 2. EMITTER 3. COLLECTOR MARKING 2T1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT3906E, MMDT2227DW, MSB709, MSD601, MXTA42, PZT5401, PZT5551, PZT951, 2SD1047, S9013LT1, S9014LT1, S9015LT1, SS8050LT1, SS8550LT1, W4401DW, W4413DW, W4501DW