S9014LT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: S9014LT1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для S9014LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S9014LT1 даташит

 ..1. Size:191K  wietron
s9014lt1.pdfpdf_icon

S9014LT1

S9014LT1 3 1 2 SOT-23 Value V CEO 45 50 5.0 100 225 1.8 556 S9014QLT1=14Q S9014RLT1=14R S9014SLT1=14S S9014TLT1=14T 0.1 45 50 100 100 u 0.1 40 0.1 u 3.0 WEITRON 1/ 28-Apr-2011 http //www.weitron.com.tw S9014LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Max Unit Min ON CHARACTERISTICS DC Current Gain hFE 100

 ..2. Size:588K  shenzhen
s9014lt1.pdfpdf_icon

S9014LT1

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014LT1 TRANSISTOR NPN FEATURES High total power dissipation.(pc=0.2w) Complementary to S9015LT1 MARKING L6 J6 MAXIMUM RATINGS* TA=25 unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitt

 0.1. Size:221K  globaltech semi
gsts9014lt1.pdfpdf_icon

S9014LT1

GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage 45V amplifier and switch. Collector Current 100mA Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description 1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

 8.1. Size:331K  slkor
s9014l s9014h.pdfpdf_icon

S9014LT1

S9014 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Complementary To S9015. Excellent HFE Linearity. Power dissipation.(PC=0.2W) APPLICATIONS Per-Amplifier low level & low noise. SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value Units Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VE

Другие транзисторы: MSB709, MSD601, MXTA42, PZT5401, PZT5551, PZT951, S9012LT1, S9013LT1, S9014, S9015LT1, SS8050LT1, SS8550LT1, W4401DW, W4413DW, W4501DW, W4601DW, WTA8921