W4413DW - описание и поиск аналогов

 

W4413DW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: W4413DW

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5(8.5) pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для W4413DW

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

W4413DW даташит

 ..1. Size:90K  wietron
 w4413dw.pdf pdf_icon

W4413DW

W4413DW 2 1 3 Dual Epitaxial Planer Transistor 6 5 4 NPN+PNP Silicon 1 2 3 4 5 6 Features SOT-363(SC-88) NPN+PNP * Epitaxial Planar Die Construction * Ldeal For Low Power Amplification and Switching Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit NPN 40 Collector-Emitter Voltage V CEO Vdc PNP -40 NPN 60 Collector-Base Voltage VCBO Vdc PNP -40 6.0 NPN Emitter-Base

Другие транзисторы: PZT951, S9012LT1, S9013LT1, S9014LT1, S9015LT1, SS8050LT1, SS8550LT1, W4401DW, MJE340, W4501DW, W4601DW, WTA8921, WTD1386, WTD772, WTD882, WTM1624, WTM1766

 

 

 

 

↑ Back to Top
.