W4501DW datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: W4501DW  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для W4501DW

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

W4501DW даташит

 ..1. Size:217K  wietron
 w4501dw.pdf pdf_icon

W4501DW

W4501DW 2 1 3 Epitaxial Planer Transistor Silicon NPN 6 5 4 P b Lead(Pb)-Free 1 2 3 4 5 6 SOT-363(SC-88) Features NPN+NPN * Both 2SC2412K Chip x 2 in a SOT-363 Maximum Ratings Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V 50 Vdc CEO Collector-Base Voltage VCBO 60 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 7 Vdc Collector Current-Continuous IC 150 mAdc Thermal Characteristics

Другие транзисторы: S9012LT1, S9013LT1, S9014LT1, S9015LT1, SS8050LT1, SS8550LT1, W4401DW, W4413DW, 2SC1815, W4601DW, WTA8921, WTD1386, WTD772, WTD882, WTM1624, WTM1766, WTM1797