Биполярный транзистор WTS772 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: WTS772
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO92
WTS772 Datasheet (PDF)
wts772 wts882.pdf
WTS772WTS882PNP/NPN Epitaxial Planar TransistorsTO-921. EMITTER122. COLLECTOR33. BASEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Rating Symbol PNP/WTS772 UnitNPN/WTS882Collector-Emitter Voltage 30 VdcVCEO -30Collector-Base Voltage VCBO -4040 VdcEmitter-Base VOltage VEBO-5.0 5.0 VdcCollector Current (DC) IC(DC)-3.0 3.0 AdcAdcCollector Current (Pulse)(1) IC -7.
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050